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| 氧化镁（MgO）单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。具有很大的现实及潜在应用市场。 |
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晶体主要参数: |
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| 晶系 | 立方晶系Fm3m | | 晶格常数（Å） | A=4.130 | 熔点（℃） | 2800 | 熔点（℃） | 2800 | 密度（g/cm3） | 3.58 | 比热（cal/g℃） | 0.27 | 莫氏硬度 | 5.5 | 热膨胀系数（/℃） | 11.2x10-6 | 介电常数 | ε= 9.65 | 热导率（卡／度 厘米 秒） | 0.14 300°K | 特点 | 可得大尺寸，价格较低 | 生长方法 | 弧熔法 |
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| 基片规格： |
| 尺寸: | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， | | Ф15,Ф20，Ф1″，Ф2″等 | | 厚度: | 0.5mm，1.0mm | | 尺寸公差: | <±0.1mm | | 表面抛光: | 单面或双面 | | 取向： | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ | | 晶面定向精度: | ±0.5° | | 边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） | | 斜切晶片： | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 | | Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
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